В США разработана методика получения нановолокон из кремния с прецизионно контролируемыми, заранее заданными параметрами. Отныне можно создать нанонить нужной длины именно там, где нужно, и направить ее рост под определенным углом. Прецизионное и контролируемое выращивание нанонитей позволяет использовать их в качестве активных компонент новых электронных устройств, работа которых будет описываться законами квантовой механики.

Новую методику выращивания нановолокон разработала группа ученых из School of Science & Engineering (штат Орегон) под руководством Раджа Соланки (Raj Solanki). Рост нанонитей происходит в кварцевом реакторе с использованием технологии осаждения под названием vapor-liquid-solid deposition, разработанной несколько десятилетий назад в Bell Labs. Новым элементом стало использование для управления ростом нанонитей электрических полей.

Интерес ученых из Орегона именно к нанонитям, а не к нанотрубкам, не случаен. В кремниевые нанонити, в отличие от широко известных кремниевых нанотрубок, проще вносить примеси, определяющие свойства полупроводника.

Новая методика, помимо применения в прикладных областях, позволит ученым глубже исследовать электрические свойства кремниевых нанонитей. «Теперь, когда мы умеем выращивать кремниевые нити в строго определенном месте и в нужном направлении, нам хотелось бы выяснить, что происходит с ними в месте контакта с металлическим электродом, — говорит Соланки. — Мы изучаем также влияние покрытия или загрязнений на поверхности нановолокна на процесс прохождения по ней электрических зарядов. Именно эти факторы определяют характеристики наноэлектронных устройств, так что до начала массового производства нанонитей из кремния или на базе кремния необходимо тщательно исследовать их».